2SC3356電性能參數（TA=25℃）：
擊穿電壓:V(BR)CEO=12V,V(BR)CBO=20V,V(BR)EBO=3.0V   直流放大系數hFE:40～250 @VCE=3V,IC=7mA   集電極-基極截止電流ICBO:100nA(最大值)   發射極-基極截止電流IEBO:100nA(最大值)   特征頻率fT:5.0GHz@VCE=3V,IC=7mA   集電極允許電流IC：0.1（A）   集電極最大允許耗散功率PT：0.2（W）   插入功率增益∣S21∣：9dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz   噪聲系數NF：1.2dB@IC=7mA,VCE=3V,f=1GHz   反饋電容Cre：0.65 pF @ IC=ic=0,VCB=10V,f=1MHz。   貯存溫度Tstg:-65~150℃   封裝形式：SOT-23,或者SOT-323,或者SC-59   功率特性：中功率   極性：NPN型   結構：擴散型   材料：硅(Si)   封裝材料：塑料封裝 
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