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[供應]LT198/MXT198N三極管陣列集成電路
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  • 產品產地:全國
  • 產品品牌:厚通
  • 包裝規格:無
  • 產品數量:1
  • 計量單位:普通
  • 產品單價:0
  • 更新日期:2014-09-29 09:11:19
  • 有效期至:2015-09-29
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LT198/MXT198N三極管陣列集成電路 詳細信息

198N是由五個NPN硅晶體管組成的三極管陣列厚膜集成電路。其中,兩個三極管通過內部引線連接形成差分對管,它既可在通用的電路中作為高性能分立晶體管使用,也可用作專門的晶體管陣列使用。采用特殊加工工藝和優選芯片,確保三極管陣列具有良好的電性能匹配、良好的熱性能匹配和極好的通道隔離度(通道絕緣電阻大于1010Ω)。電路采用了14線陶瓷扁平封裝,工作溫度范圍為-55~125℃ 參數名稱 符號 測試條件 規范值 單位 最小值 典型值 最大值 集電極-基極擊穿電壓 V(BR)CBO IC=0.01mA 50 V 集電極-發射極擊穿電壓 V(BR)CEO IC=0.1mA 45 V 集電極-基極截止電流 ICBO VCB=30V 0.01 0.1 μA 集電極-發射極截止電流 ICEO VCE=30V 0.1 5 μA 集電極-發射極的飽和電壓 VCE(sat) IB=1mA, IC=10mA 0.2 0.5 V 基極-發射極的飽和電壓 VBE(sat) IE=10mA, VCE=3V 0.8 1.2 V 正向電流放大倍數 hFE VCE=10V, IC=10mA 60 150 正向電流放大匹配誤差 ΔhFE VCE=10V, IC=10mA 10 % 特征頻率 fT VCE=10V, IC=3mA 200 MHz

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