【高壓MOSFET】士蘭微SVF10N80F,K
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  士蘭微將整合公司的射頻和MCU產品技術能力,在智能照明等應用領域推出系統級解決方案,以滿足日益增長的市場需求;士蘭微在AC-DC轉換電路方面擁有多項自主專利技術,已逐步推出多款符合六級能效(65W以下適配器、充電器)和低待機的新產品;而無刷直流電機驅動模塊產品則集合了士蘭微在IGBT等高壓功率器件和高壓集成電路方面多年的領先優勢,形成了多款IPM模塊封裝外形和數十個IPM產品門類,可應用于20~1500W的變頻電機驅動,滿足直流無刷化、調速變頻化的需求。
士蘭微擁有完善的設計制造產業鏈,包括研發中心、流片工廠、測試工廠等,能夠有效進行全程品質管控,具備良好的供貨保障能力;實現了工藝技術和產品技術的緊密互動,在芯片設計研發、特殊器件研發和工藝制造平臺上同步投入,具備了強大的工藝技術和產品開發能力。為更好地服務客戶,士蘭微電子設有專門的應用技術團隊為客戶提供系統方案支持,同時公司還有完整的分立器件產品線,可以提供絕大部分規格的MOSFET、FRD、SBD、IGBT等分立器件,方便客戶進行采購及品質管理。隨著更多新產品和新技術的推出,士蘭微將持續為客戶提供高性價比的電源產品!
概 述
   
該類方案主要以士蘭微電子AC-DC產品為主控芯片,以手機充電器、DVD電源、DVB適配器及PC電源設計為主要應用方向。主芯片SD484X系列特性。
內置PWM控制電路和高壓功率MOSFET。相對于控制電路和功率MOSFET分立來說,降低了成本,提高了電路的可靠性。
MOSFET的導通電阻最大值規格分別有:16.8歐姆、9.6歐姆、6.0歐姆、4.8歐姆、3.6歐姆。對應的峰值電流最大值為:0.6 A、0.75 A、0.90 A、1.20 A、1.50A。可以根據實際芯片所需的輸出功率進行選擇。
主芯片具有低功耗、低啟動電流和較低的EMI,最高效率可以達到80%以上。
啟動電壓和輸出電壓均可調節,目前電路可以提供的功率范圍為:窄電壓范圍5~18W,寬電壓范圍7~21W。
內置的15ms軟啟動電路,減小了主芯片啟動時變壓器的應力。
主芯片的開關頻率為67KHz,振蕩產生的頻率抖動,可以降低EMI。
在待機模式下,主芯片進入打嗝模式,從而有效地降低主芯片的待機功耗。
主芯片內部集成了各種異常狀態保護功能。包括欠壓鎖定,過壓保護,脈沖前沿消隱,過流保護和溫度保護功能。在主芯片發生保護以后,芯片可以不斷自動重啟,直到系統正常為止。
 
     
 
優 勢
   
依托士蘭集成650V MOSFET、650V BCD、25V BCD特殊工藝平臺,優化了電源構架(正激、反激、半橋、有源箝位、臨界導通、連續導通),可應用于交直流轉換的電源產品。所涉及到的產品方案性能高,功耗低,屬于綠色電源管理方案,方案實現便利。