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光刻機/紫外曝光機(Mask Aligner) 又名:掩模對準曝光機,曝光系統,光刻系統等。常用的光刻機是掩膜對準光刻,所以叫 Mask Alignment System.
一般的光刻工藝要經歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕、等工序
Photolithography(光刻) 意思是用光來制作一個圖形(工藝);
在硅片表面勻膠,然后將掩模版上的圖形轉移光刻膠上的過程將器件或電路結構臨時“復制”到硅片上的過程。
分類
光刻機一般根據操作的簡便性分為三種,手動、半自動、全自動
A 手動:指的是對準的調節方式,是通過手調旋鈕改變它的X軸,Y軸和thita角度來完成對準,對準精度可想而知不高了;
B 半自動:指的是對準可以通過電動軸根據CCD的進行定位調諧;
C 自動: 指的是 從基板的上載下載,曝光時長和循環都是通過程序控制,自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要,恩科優的NXQ8000系列可以一個小時處理幾百片wafer。
性能指標
光刻機的主要性能指標有:支持基片的尺寸范圍,分辨率、對準精度、曝光方式、光源波長、光強均勻性、生產效率等。
分辨率是對光刻工藝加工可以達到的最細線條精度的一種描述方式。
光刻的分辨率受受光源衍射的限制,所以與光源、光刻系統、光刻膠和工藝等各方面的限制。
對準精度是在多層曝光時層間圖案的定位精度。
曝光方式分為接觸接近式、投影式和直寫式。
曝光光源波長為紫外、深紫外和極紫外區域,光源有汞燈,準分子激光器等。
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