石墨烯系列產品 >> CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯 >> CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯 產品編號：11110365316產品名稱：CVD碳化硅襯底單層石墨烯|CVDSiC襯底單層石墨烯規格：產品備注：產品類別：石墨烯系列產品    產品說明通常，石墨烯大多是在金屬表面上用CVD技術生長的，在微電子或電子器件的應用中不得不將其從導電的金屬上用化學方法剝離，將其置于分離的襯底上再應用。這在器件的制備上存在很大的局限性，而在半絕緣(高阻)SiC襯底上生長的石墨烯可以直接用來制備電子器件，如高頻電子器件、光電子器件及量子器件等，尤其是在SiC襯底上用CVD技術生長的石墨烯與CMOS工藝兼容，因而無需進行襯底轉移，即可應用于電子器件研制。在4H和6H型SiC襯底上生長單層/雙層和三層石墨烯晶型晶體性質石墨烯生長面石墨烯4H-SiC半絕緣型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面P型或N型4H-SiC導電型4H-SiC的Si面4H-SiC的C面—6H-SiC半絕緣型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面P型或N型6H-SiC導電型6H-SiC的Si面6H-SiC的C面—標準尺寸10mmx10mm，15mmx15mm，2英寸x2英寸，4英寸x4英寸標準尺寸φ2英寸，φ3英寸，φ4英寸，φ5英寸，φ6英寸定制尺寸根據客戶要求 描述：● 生長方法：CVD生長● 覆蓋率：100%● 石墨烯層數：1層，2層，3層● 單層厚度：0.345nm● 載流子密度：N型5x10¹¹-1.5x10¹³cm^-2，P型1x10¹³-1.5x10¹³cm^-2● N型遷移率：3000cm²/Vs● P型遷移率：可達6500乃至8000cm²/Vs(溫度：300K) 應用● 高頻電子器件● 光電子器件● 量子器件● 自旋電子學● 光電探測器● 新碳電子學● 石墨烯半導體芯片● 石墨烯計算機存儲器● 生物技術● 生物傳感器